收藏本站
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMP4051LK3
Package Outline Dimensions
TO252
Dim Min Max Typ
E
b3
L3
A
c2
A
A1
A2
b
2.19 2.39 2.29
0.00 0.13 0.08
0.97 1.17 1.07
0.64 0.88 0.783
b2
0.76 1.14 0.95
D
L4
H
A2
A1
E1
b3
c2
D
D1
e
E
E1
5.21 5.46 5.33
0.45 0.58 0.531
6.00 6.20 6.10
?
?
5.21
?
?
2.286
6.45 6.70 6.58
4.32 ? ?
H
9.40 10.41 9.91
e
L
L
L3
1.40 1.78 1.59
0.88 1.27 1.08
2X b2
3X b
a
L4
a
0.64 1.02 0.83
0° 10° ?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X2
Dimensions
Z
Value (in mm)
11.6
Y2
X1
X2
1.5
7.0
DMP4051LK3
Document Number DS32114 Rev. 3 - 2
Y1
X1
E1
C
Z
8 of 9
www.diodes.com
Y1
Y2
C
E1
2.5
7.0
6.9
2.3
February 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP57D5UFB-7 MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
DMP58D0LFB-7B MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
DMP58D0SV-7 MOSFET P-CH 50V 160MA SOT-563
DMS2120LFWB-7 MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
DMS2220LFDB-7 MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
DMS2220LFW-7 MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-DFN
DMS3012SFG-7 MOSFET N CH 30V POWERDI 3333-8
DMS3014SFG-7 MOSF N CH 30V 9.5A POWERDI3333-8
相关代理商/技术参数
DMP5530 制造商:TAPESWITCH CORP 功能描述:Mat, Safety, Diamond Plate Aluminum, 55X30
DMP56D0UV-7 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF P CH 50V 160MA SOT563
DMP57D5UFB 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP57D5UFB-7 功能描述:MOSFET PMOS-SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP57D5UV 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP57D5UV-7 功能描述:MOSFET 50V PMOS-DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP58D0LFB 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP58D0LFB-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X1-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube